高頻加熱爐與可控硅加熱設(shè)備相比，有何優(yōu)勢(shì)？不要急，聽小編我慢慢的給您分析。

    傳統(tǒng)的可控硅加熱設(shè)備采用的功率器件為可控硅，采用并聯(lián)諧振電路，由于可控硅為半控器件，損耗大。高頻加熱爐使用先進(jìn)的全控型半導(dǎo)體器件——IGBT，設(shè)計(jì)開發(fā)了新型的控制電路，降低了器件的損耗，提高了設(shè)備效率。由于并聯(lián)諧振電路為電流諧振，感應(yīng)圈上電流大，感應(yīng)圈的損耗大，高頻加熱爐采用的串聯(lián)諧振電路，為電壓諧振，當(dāng)設(shè)備功率相同時(shí)，通過提高感應(yīng)圈的電壓，減小了感應(yīng)圈上的電流，從而降低了感應(yīng)圈上的損耗。

    功率器件可控硅和IGBT的優(yōu)劣比較：

    IGBT：
    1、功率小而飽和壓降低。
    2、可控制開關(guān)元件。
    3、可在較高頻率下工作。
    4、控制靈活方便，能取消可控硅電路的關(guān)斷電路等，在很多場(chǎng)合完全可以替代可控硅，并且性能更好。

    可控硅：
    1、可控硅整流元件亦稱為晶閘管，具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。
    2、只能控制開，不能控制關(guān)。
    3、多在5KHz以內(nèi)的頻率下工作。
    4、靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

    通過上文的分析可以看出，高頻加熱爐與可控硅加熱設(shè)備相比，具有節(jié)能、控制靈活方便、高效等優(yōu)勢(shì)。這也是越來(lái)越多的熱處理廠家摒棄了可控硅加熱設(shè)備，而采用高頻加熱爐進(jìn)行熱處理的原因所在。